1. CUIR at Chulalongkorn University

Browsing by Author สมชัย รัตนธรรมพันธ์

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
ก ข ฃ ค ฅ ฆ ง จ ฉ ช ซ ฌ ญ ฎ ฏ ฐ ฑ ฒ ณ ด ต ถ ท ธ น บ ป ผ ฝ พ ฟ ภ ม ย ร ฤ ล ฦ ว ศ ษ ส ห ฬ อ ฮ
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 20
Issue DateTitleAuthor(s)
2557การประดิษฐ์ควอนตัมดอตโมเลกุลที่เรียงตัวกันด้านข้าง InAs บน InGaAs แม่แบบนาโนโฮลที่เปลี่ยนรูปด้วยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลณัฐภาส์ ประภาสวัสดิ์
2554การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลสมชัย รัตนธรรมพันธ์
2554การประดิษฐ์โครงสร้างวงแหวนนาโนของแกลเลียมฟอสไฟด์บนแกลเลียมอาร์เซไนด์ (100) ที่ปลูกด้วยวิธีดรอปเล็ทอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลพัชรีวรรณ โปร่งจิต
2545การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุลไมตรี ไพศาลภาณุมาศ, 2521-
2547การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลสมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน
2550การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัสสมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน
2544การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลสมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน
2550การปลูกผลึกอิพิแทกซี InGaAs (E[subscript g] [is approximately equal to] 0.75 eV) บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลสมชัย รัตนธรรมพันธ์
2540การพัฒนาโปรแกรมคอมพิวเตอร์สำหรับงานวิเคราะห์ สายอากาศแบบจานสะท้อนคลื่น ระยะที่ 1ฉัตรชัย ไวยาพัฒนกร; สมศักดิ์ ปัญญาแก้ว; สมชัย รัตนธรรมพันธ์; บัณฑิตา รัฐวิเศษ
2547การวิเคราะห์แปรกรีเฟกเตอร์ของสารประกอบเริ่มต้นแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์ในช่วง 1.3 ไมโครเมตรหัสเนตร์ โสดาบรรลุ
2544การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์ : รายงานผลการวิจัยสมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน
2542การศึกษาท่อนำคลื่นแสงแบบชันแนลซับสเตรตพลานาร์สำหรับการประยุกต์ใช้ในงานเลเซอร์ไดโอดพรพิษณุ เหลืองจิรโณทัย
2531การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์สมชัย รัตนธรรมพันธ์
2006การศึกษาและการประดิษฐ์ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบางโครงสร้างโพลีเมอร์/BaTiO₃องอาจ ตั้งเมตตาจิตตกุล
2541การศึกษาโครงสร้างควอนตัมเวลล์ของอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์/แกลเลียมอาร์เซไนด์ที่เตรียมโดยวิธีการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุลณัฐชัย สร้อยมาดี
2554คุณลักษณะของฟิล์มบางแทนทาลัมไนไตรด์บนแผ่นฐานแก้วและโพลีอิไมด์ โดยการเคลือบด้วยวิธีรีแอคทีฟสปัตเตอร์ริงสมัชชา วรธำรง
2557อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีต่อโครงสร้างขนาดนาโนของแกลเลียมแอนติโมไนด์กมลชนก ขอกลาง
2549อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตปุณยสิริ บุญเป็ง
2543ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัยชุมพล อันตรเสน; สมชัย รัตนธรรมพันธ์; ศุภโชค ไทยน้อย
2538ไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบางชนิดวัสดุอะมอร์ฟัสสารกึ่งตัวนำ : รายงานวิจัยฉบับสมบูรณ์ ระยะที่ 2ดุสิต เครืองาม; สมศักดิ์ ปัญญาแก้ว; สมชัย รัตนธรรมพันธ์; บัณฑิตา รัฐวิเศษ
Showing results 1 to 20 of 20